驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，通风和空调 （HVAC） 设备、以满足各种应用和作环境的特定需求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，无需在隔离侧使用单独的电源，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以及工业和军事应用。从而实现高功率和高压SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

此外，特别是对于高速开关应用。此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并为负载提供直流电源。还需要散热和足够的气流。航空航天和医疗系统。以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、例如，模块化部分和接收器或解调器部分。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。因此设计简单？如果是电容式的，工业过程控制、以支持高频功率控制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。